制造商型号: | TPD3215M |
制造商: | Transphorm |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Transphorm TPD3215M
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TPD3215M 中文资料
数据手册PDF
TPD3215M 规格参数
属性
参数值
制造商型号
TPD3215M
制造商
Transphorm
商品描述
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
70A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
34mOhm @ 30A, 8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
28nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2260pF @ 100V
功率 - 最大值
470W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
Module
供应商器件封装
Module
品牌其他型号
TPD3215M品牌厂家:Transphorm
,所属分类: 射频晶体管
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