制造商型号: | TP65H050WSQA |
制造商: | Transphorm |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | 650V 36A GAN FET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Transphorm TP65H050WSQA
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TP65H050WSQA 中文资料
数据手册PDF
TP65H050WSQA 规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 57 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 43
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 236.50444 | 236.50 |
30 | 191.483863 | 5744.52 |
120 | 180.221494 | 21626.58 |
510 | 163.326005 | 83296.26 |
品牌其他型号
TP65H050WSQA品牌厂家:Transphorm
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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