制造商型号： | EPC2105ENGRT |
制造商： | EPS |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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EPS EPC2105ENGRT
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EPC2105ENGRT 中文资料
数据手册PDF
EPC2105ENGRT 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2105ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14.5mOhm @ 20A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
库存： 222
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 92.052377 | 92.05 |
| 10 | 83.156039 | 831.56 |
| 25 | 79.281191 | 1982.03 |
| 100 | 65.746402 | 6574.64 |
| 250 | 61.878966 | 15469.74 |
