制造商型号： | R6030JNZ4C13 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | R6030JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) R6030JNZ4C13
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R6030JNZ4C13 中文资料
数据手册PDF
R6030JNZ4C13 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标名 PrestoMOS
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 143 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 370 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 37 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 522
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 131.342381 | 131.34 |
| 30 | 104.808356 | 3144.25 |
| 120 | 93.775969 | 11253.12 |
| 510 | 82.743335 | 42199.10 |
| 1020 | 74.469014 | 75958.39 |
品牌其他型号
R6030JNZ4C13品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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