制造商型号： | BSC112N06LDATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | TRENCH 40<-<100V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSC112N06LDATMA1
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BSC112N06LDATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC112N06LDATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 11.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC112N06LD SP002594372
库存： 4975
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.837646 | 21.84 |
| 10 | 19.556284 | 195.56 |
| 100 | 15.247313 | 1524.73 |
| 500 | 12.595808 | 6297.90 |
| 1000 | 9.944059 | 9944.06 |
| 2000 | 9.281122 | 18562.24 |
