制造商型号： | IRF40H233XTMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | TRENCH <= 40V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IRF40H233XTMA1
图像仅供参考
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IRF40H233XTMA1 中文资料
数据手册PDF
IRF40H233XTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 63 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF40H233 SP001683272
IRF40H233XTMA1 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 4000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥8.914218 总价：￥35656.87 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | 8.914218 | 35656.87 |
| 8000 | 8.103835 | 64830.68 |
| 12000 | 7.729812 | 92757.74 |
