制造商型号： | BSC076N04NDATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | TRENCH <= 40V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSC076N04NDATMA1
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BSC076N04NDATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC076N04NDATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC076N04ND SP002594330
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000 | 4.395907 | 21979.53 |
| 10000 | 4.193047 | 41930.47 |
| 25000 | 4.05776 | 101444.00 |
