制造商型号: | SIB912DK-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIB912DK-T1-GE3
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SIB912DK-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIB912DK-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 216 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 3 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIB912DK-GE3
单位重量 96 mg
库存: 66112
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.051488 | 6.05 |
10 | 5.13759 | 51.38 |
100 | 3.567908 | 356.79 |
500 | 2.785414 | 1392.71 |
1000 | 2.263998 | 2264.00 |
品牌其他型号
SIB912DK-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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