制造商型号： | SSM6N815R,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) SSM6N815R,LF
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SSM6N815R,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6N815R,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 84 mOhms, 84 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 4.8 S, 4.8 S
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns, 21 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns, 7.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存： 22588
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.403072 | 10.40 |
| 10 | 6.410129 | 64.10 |
| 100 | 4.116864 | 411.69 |
| 500 | 3.127959 | 1563.98 |
| 1000 | 2.808677 | 2808.68 |
