制造商型号: | QS8K11TCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) QS8K11TCR
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QS8K11TCR 中文资料
数据手册PDF
QS8K11TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 35 mOhms, 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 2.2 S, 2.2 S
上升时间 25 ns, 25 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8K11
单位重量 10 mg
库存: 3000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 4.117331 | 12351.99 |