制造商型号: | SI3456CDV-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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SILICONIX(威世) SI3456CDV-T1-GE3
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SI3456CDV-T1-GE3 中文资料
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SI3456CDV-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI3456CDV-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
34mOhm @ 6.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
12nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
460pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
182 | 0.528036 | 96.10 |
300 | 0.505118 | 151.54 |
500 | 0.482116 | 241.06 |
1000 | 0.459198 | 459.20 |
品牌其他型号
SI3456CDV-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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