制造商型号： | HP8M31TB1 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) HP8M31TB1
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HP8M31TB1 中文资料
数据手册PDF
HP8M31TB1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 65 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 2500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥12.584608 总价：￥31461.52 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 12.584608 | 31461.52 |
