制造商型号: | HP8M51TB1 |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) HP8M51TB1
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HP8M51TB1 中文资料
数据手册PDF
HP8M51TB1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 170 mOhms, 290 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15 nC, 26.2 nC
耗散功率 7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns, 19 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns, 75 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
库存: 2458
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 28.154339 | 28.15 |
10 | 23.369364 | 233.69 |
100 | 18.599539 | 1859.95 |
500 | 15.737898 | 7868.95 |
1000 | 13.353364 | 13353.36 |