制造商型号： | SIZ322DT-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZ322DT-T1-GE3
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SIZ322DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZ322DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAIR
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 5.29 mOhms, 5.29 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.1 nC
耗散功率 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns, 15 ns
正向跨导（Min） 57 S
上升时间 25 ns, 25 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
库存： 11771
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.378916 | 13.38 |
| 10 | 11.748362 | 117.48 |
| 100 | 9.005683 | 900.57 |
| 500 | 7.119257 | 3559.63 |
| 1000 | 5.695377 | 5695.38 |
