制造商型号： | SSM6L36FE,LM |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Toshiba(东芝) SSM6L36FE,LM
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SSM6L36FE,LM 中文资料
数据手册PDF
SSM6L36FE,LM 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA, 330 mA
漏源电阻 460 mOhms, 950 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV, 1 V
栅极电荷 1.23 nC, 1.2 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns, 200 ns
典型接通延迟时间 30 ns, 90 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
库存： 97066
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.358109 | 5.36 |
| 10 | 3.788059 | 37.88 |
| 100 | 1.912721 | 191.27 |
| 500 | 1.560582 | 780.29 |
| 1000 | 1.15785 | 1157.85 |
| 2000 | 0.97418 | 1948.36 |
品牌其他型号
SSM6L36FE,LM品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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