SSM6L36FE,LM
数据手册.pdfToshiba(东芝)
主动器件
SSM6L36FE,LM中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.15 W
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 46pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SSM6L36FE,LM引脚图与封装图 
SSM6L36FE,LM引脚图
SSM6L36FE,LM封装图
SSM6L36FE,LM封装焊盘图
在线购买SSM6L36FE,LM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SSM6L36FE,LM | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A 6Pin SOT-563 | 搜索库存 |
替代型号SSM6L36FE,LM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SSM6L36FE,LM 品牌： Toshiba 东芝 封装： SOT-563 | 当前型号 | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A 6Pin SOT-563 | 当前型号 |
| 型号： SIX3439K-TP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | N-Channel P-Channel MOSFET | SSM6L36FE,LM和SIX3439K-TP的区别 |