制造商型号： | EPC2108 |
制造商： | EPS |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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EPS EPC2108
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EPC2108 中文资料
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EPC2108 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2108
制造商
EPS
商品描述
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
60V, 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A, 500mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA (1.35x1.35)
库存： 1124
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.879211 | 21.88 |
| 10 | 18.149801 | 181.50 |
| 100 | 14.445252 | 1444.53 |
| 500 | 12.223021 | 6111.51 |
| 1000 | 10.370995 | 10371.00 |
