制造商型号： | EPC2007C |
制造商： | EPS |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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EPS EPC2007C
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EPC2007C 中文资料
数据手册PDF
EPC2007C 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2007C
制造商
EPS
商品描述
GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
30mOhm @ 6A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.2nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V, -4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
220pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die Outline (5-Solder Bar)
封装/外壳
Die
库存： 31435
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 32.047756 | 32.05 |
| 10 | 26.673376 | 266.73 |
| 100 | 21.225259 | 2122.53 |
| 500 | 17.960075 | 8980.04 |
| 1000 | 15.238851 | 15238.85 |
品牌其他型号
EPC2007C品牌厂家：EPS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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