制造商型号: | DMN2005DLP4K-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN2005DLP4K-7
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DMN2005DLP4K-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2005DLP4K-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 530 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 0.35 mm
长度 1.3 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 23.375 mg
库存: 27100
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.109153 | 6.11 |
10 | 4.762646 | 47.63 |
100 | 2.856341 | 285.63 |
500 | 2.644391 | 1322.20 |
1000 | 1.798212 | 1798.21 |
品牌其他型号
DMN2005DLP4K-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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