制造商型号: | EPC2108 |
制造商: | EPS |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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EPS EPC2108
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EPC2108 中文资料
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EPC2108 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2108
制造商
EPS
商品描述
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss)
60V, 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.7A, 500mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA (1.35x1.35)
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |