制造商型号: | EPC2019 |
制造商: | EPS |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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EPS EPC2019
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EPC2019 中文资料
数据手册PDF
EPC2019 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2019
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
50mOhm @ 7A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.5nC @ 5V
Vgs(最大值)
+6V, -4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
270pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
库存: 95037
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 34.017762 | 34.02 |
10 | 28.547507 | 285.48 |
100 | 23.090959 | 2309.10 |
500 | 22.585052 | 11292.53 |
品牌其他型号
EPC2019品牌厂家:EPS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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