制造商型号： | DMC31D5UDJ-7B |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V SOT963 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMC31D5UDJ-7B
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DMC31D5UDJ-7B 中文资料
数据手册PDF
DMC31D5UDJ-7B 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 220 mA, 200 mA
漏源电阻 2.3 Ohms, 5.1 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 380 pC, 350 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.5 ns, 8.7 ns
上升时间 2.2 ns, 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns, 18.8 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns, 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 270 mg
库存： 40948
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.218636 | 5.22 |
| 10 | 4.43584 | 44.36 |
| 100 | 3.083965 | 308.40 |
| 500 | 2.407531 | 1203.77 |
| 1000 | 1.95674 | 1956.74 |
| 2000 | 1.749238 | 3498.48 |
| 5000 | 1.660272 | 8301.36 |
品牌其他型号
DMC31D5UDJ-7B品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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