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DMC31D5UDJ-7B

DMC31D5UDJ-7B

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N/P-CH 30V SOT963

Mosfet Array N and P-Channel 30V 220mA, 200mA 350mW Surface Mount SOT-963


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V SOT963


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.2A/0.22A Automotive 6-Pin SOT-963 T/R


DMC31D5UDJ-7B中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N+P

耗散功率 350 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 0.2A/0.22A

输入电容Ciss 22.6pF @15VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-963-6

外形尺寸

封装 SOT-963-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DMC31D5UDJ-7B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DMC31D5UDJ-7B Diodes 美台 MOSFET N/P-CH 30V SOT963 搜索库存
替代型号DMC31D5UDJ-7B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMC31D5UDJ-7B

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-963 N+P 30V 0.2A 0.22A

当前型号

MOSFET N/P-CH 30V SOT963

当前型号

型号: DMC31D5UDJ-7

品牌: 美台

封装: SOT-963 N+P 30V 0.2A 0.22A

类似代替

Trans N-CH/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6Pin SOT-963 T/R

DMC31D5UDJ-7B和DMC31D5UDJ-7的区别