DMC31D5UDJ-7B
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
通道数 2
极性 N+P
耗散功率 350 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 0.2A/0.22A
输入电容Ciss 22.6pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-963-6
封装 SOT-963-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
DMC31D5UDJ-7B | Diodes 美台 | MOSFET N/P-CH 30V SOT963 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: DMC31D5UDJ-7B 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-963 N+P 30V 0.2A 0.22A | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 30V SOT963 | 当前型号 | |
型号: DMC31D5UDJ-7 品牌: 美台 封装: SOT-963 N+P 30V 0.2A 0.22A | 类似代替 | Trans N-CH/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6Pin SOT-963 T/R | DMC31D5UDJ-7B和DMC31D5UDJ-7的区别 |