制造商型号： | SSM6L35FE,LM |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) SSM6L35FE,LM
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SSM6L35FE,LM 中文资料
数据手册PDF
SSM6L35FE,LM 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA, 100 mA
漏源电阻 20 Ohms, 44 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
SSM6L35FE,LM 引脚图与封装图
SSM6L35FE,LM引脚图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | 0.507371 | 2029.48 |
| 8000 | 0.48509 | 3880.72 |
| 12000 | 0.419541 | 5034.49 |
| 28000 | 0.411681 | 11527.07 |
| 100000 | 0.340868 | 34086.80 |
品牌其他型号
SSM6L35FE,LM品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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