SSM6L35FE,LM
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
SSM6L35FE,LM中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 9.5pF @3VVds
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 ES-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.55 mm
封装 ES-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SSM6L35FE,LM引脚图与封装图 
SSM6L35FE,LM引脚图
在线购买SSM6L35FE,LM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SSM6L35FE,LM | Toshiba 东芝 | Mosfet n/p-Ch 20V 0.18A/0.1A Es6 | 搜索库存 |
替代型号SSM6L35FE,LM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SSM6L35FE,LM 品牌： Toshiba 东芝 封装： SOT-563 | 当前型号 | Mosfet n/p-Ch 20V 0.18A/0.1A Es6 | 当前型号 |
| 型号： EM6K7T2CR 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V | SSM6L35FE,LM和EM6K7T2CR的区别 |