制造商型号： | DMHC4035LSD-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMHC4035LSD-13
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DMHC4035LSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMHC4035LSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.5 A, 3.7 A
漏源电阻 45 mOhms, 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.1 nC, 12.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 5.5 ns, 15.3 ns
上升时间 2.6 ns, 2.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 36.3 ns
典型接通延迟时间 3.1 ns, 3.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
DMHC4035LSD-13 同类别型号
库存： 33314
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.112117 | 21.11 |
| 10 | 13.325111 | 133.25 |
| 100 | 8.842612 | 884.26 |
| 500 | 6.91835 | 3459.18 |
| 1000 | 6.298754 | 6298.75 |
品牌其他型号
DMHC4035LSD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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