制造商型号： | DMG1026UV-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMG1026UV-7
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DMG1026UV-7 中文资料
数据手册PDF
DMG1026UV-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 440 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 450 fC
耗散功率 580 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16.3 ns
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.4 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 1428
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.565467 | 5.57 |
| 10 | 4.465624 | 44.66 |
| 100 | 3.041131 | 304.11 |
| 500 | 2.280781 | 1140.39 |
| 1000 | 1.710587 | 1710.59 |
品牌其他型号
DMG1026UV-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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