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DMG1026UV-7

DMG1026UV-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

60V,410mA,双N沟道增强型MOSFET

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 410mA 580mW Surface Mount SOT-563


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563


立创商城:
DMG1026UV-7


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-563, 表面安装


艾睿:
Thanks to Diodes Zetex, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the DMG1026UV-7 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 6500 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
Dual N-Ch Enhancement MOSFET SOT-563


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 6-Pin SOT-563


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


儒卓力:
**N+N CH MOS+ESD 60V 0,44A SOT563 **


力源芯城:
60V,410mA,双N沟道增强型MOSFET


Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563


DeviceMart:
MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563


DMG1026UV-7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 6.5 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 32 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.41A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 32pF @25VVds

额定功率Max 580 mW

下降时间 16.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.7 mm

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMG1026UV-7引脚图与封装图
DMG1026UV-7引脚图

DMG1026UV-7引脚图

DMG1026UV-7封装图

DMG1026UV-7封装图

DMG1026UV-7封装焊盘图

DMG1026UV-7封装焊盘图

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