制造商型号： | AOSD26313C |
制造商： | AOS |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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AOS AOSD26313C
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AOSD26313C 中文资料
数据手册PDF
AOSD26313C 规格参数
属性
参数值
制造商型号
AOSD26313C
制造商
AOS
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N and P-Channel Complementary
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A (Ta), 5.7A (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC, 33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
功率 - 最大值
1.7W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
