制造商型号： | SSM6L09FUTE85LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Toshiba(东芝) SSM6L09FUTE85LF
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SSM6L09FUTE85LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6L09FUTE85LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 400 mA, 200 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns, 85 ns
典型接通延迟时间 72 ns, 85 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.301571 总价：￥6.30 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.301571 | 6.30 |
| 10 | 4.72 | 47.20 |
| 100 | 2.94444 | 294.44 |
| 500 | 2.014277 | 1007.14 |
| 1000 | 1.549445 | 1549.44 |
品牌其他型号
SSM6L09FUTE85LF品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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