制造商型号: | RFM08U9X(TE12L,Q) |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | MOSFET N-CH PW-X |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) RFM08U9X(TE12L,Q)
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RFM08U9X(TE12L,Q) 中文资料
数据手册PDF
RFM08U9X(TE12L,Q) 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 5 A
漏源击穿电压 36 V
工作频率 520 MHz
输出功率 7.5 W
配置 Single
耗散功率 20 W
栅极电压 5 V
栅源极阈值电压 1.5 V
规格参数
增益 11.7 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
品牌其他型号
RFM08U9X(TE12L,Q)品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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