制造商型号： | DMG1016V-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMG1016V-7
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DMG1016V-7 中文资料
数据手册PDF
DMG1016V-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 870 mA, 640 mA
漏源电阻 400 mOhms, 700 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 pC, 622.4 pC
耗散功率 530 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12.3 ns, 20.7 ns
上升时间 7.4 ns, 8.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns, 5.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 99779
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.800418 | 5.80 |
| 10 | 4.379908 | 43.80 |
| 100 | 2.729748 | 272.97 |
| 500 | 1.867972 | 933.99 |
| 1000 | 1.436848 | 1436.85 |
品牌其他型号
DMG1016V-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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