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DMG1016V-7

DMG1016V-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMG1016V-7 编带

N & P Channel 400 mO 20 Vds Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet - SOT-563


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563


立创商城:
DMG1016V-7


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 互补N与P沟道, 20 V, 870 mA, 0.3 ohm, SOT-563, 表面安装


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMG1016V-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 530 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET N/P-Ch 20V 0.87A/0.64A SOT563


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG1016V-7  MOSFET, N & P CH, 20V/-20V, SOT-563


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563


DeviceMart:
MOSFET N+P 20V 870MA SOT563


DMG1016V-7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.3 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 530 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.87A/0.64A

输入电容Ciss 60.67pF @16VVds

额定功率Max 530 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 530 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

DMG1016V-7引脚图与封装图
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在线购买DMG1016V-7
型号 制造商 描述 购买
DMG1016V-7 Diodes 美台 DMG1016V-7 编带 搜索库存
替代型号DMG1016V-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMG1016V-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-563 N-Channel 20V 0.87A 0.64A

当前型号

DMG1016V-7 编带

当前型号

型号: DMG1016UDW-7

品牌: 美台

封装: SOT-363 N-Channel 20V 1.066A 0.845A

功能相似

DIODES INC.  DMG1016UDW-7  双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 845 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V

DMG1016V-7和DMG1016UDW-7的区别

型号: DMG9926UDM-7

品牌: 美台

封装: SOT-26 N-CH 20V 4.2A

功能相似

DMG9926UDM-7 编带

DMG1016V-7和DMG9926UDM-7的区别