制造商型号: | PMDT290UCE,115 |
制造商: | Nexperia (安世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Nexperia(安世) PMDT290UCE,115
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PMDT290UCE,115 中文资料
数据手册PDF
PMDT290UCE,115 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 290 mOhms, 670 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV, 1.3 V
栅极电荷 680 pC, 1.14 nC
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 31 ns, 72 ns
正向跨导(Min) 1.6 S
上升时间 4 ns, 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 934065733115
单位重量 2.806 mg
库存: 8995
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.108894 | 5.11 |
10 | 3.925127 | 39.25 |
100 | 2.355077 | 235.51 |
500 | 2.180377 | 1090.19 |
1000 | 1.482701 | 1482.70 |
2000 | 1.364947 | 2729.89 |
品牌其他型号
PMDT290UCE,115品牌厂家:Nexperia
,所属分类: 射频晶体管
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