PMDT290UCE,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMDT290UCE,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.8A/0.55A
输入电容Ciss 83pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMDT290UCE,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMDT290UCE,115 | NXP 恩智浦 | PMDT290UCE - 20 / 20 V，800 / 550 mA N/P沟道Trench MOSFET | 搜索库存 |