制造商型号: | DMN61D9UDW-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN61D9UDW-7
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DMN61D9UDW-7 中文资料
数据手册PDF
DMN61D9UDW-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.4 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥5.065968 总价:¥5.07 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.065968 | 5.07 |
10 | 3.830366 | 38.30 |
100 | 2.385948 | 238.59 |
500 | 1.632725 | 816.36 |
1000 | 1.255866 | 1255.87 |
品牌其他型号
DMN61D9UDW-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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