DMN61D9UDW-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
耗散功率 0.41 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 1.8 ns
输入电容Ciss 28.5pF @30VVds
额定功率Max 320 mW
下降时间 8.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN61D9UDW-7 | Diodes 美台 | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMN61D9UDW-7 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-363 | 当前型号 | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | 当前型号 | |
型号: DMN61D9UDW-13 品牌: 美台 封装: SOT-363 | 类似代替 | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | DMN61D9UDW-7和DMN61D9UDW-13的区别 |