制造商型号： | HP8S36TB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) HP8S36TB
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HP8S36TB 中文资料
数据手册PDF
HP8S36TB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 27 A, 80 A
漏源电阻 6.7 mOhms, 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 4.8 nC, 47 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.4 ns, 66 ns
正向跨导（Min） 10 S, 30 S
上升时间 4.5 ns, 27 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.5 ns, 186 ns
典型接通延迟时间 9.6 ns, 34 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 HP8S36
单位重量 771.020 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 4.887579 | 12218.95 |
