制造商型号： | SI1025X-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI1025X-T1-GE3
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SI1025X-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1025X-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 0.6 mm
长度 1.66 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1025X-GE3
单位重量 32 mg
库存： 31282
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.093912 | 6.09 |
| 10 | 5.173607 | 51.74 |
| 100 | 3.592921 | 359.29 |
| 500 | 2.804941 | 1402.47 |
| 1000 | 2.279869 | 2279.87 |
品牌其他型号
SI1025X-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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