制造商型号: | PMGD780SN,115 |
制造商: | Nexperia (安世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
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Nexperia(安世) PMGD780SN,115
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PMGD780SN,115 中文资料
数据手册PDF
PMGD780SN,115 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 490 mA
漏源电阻 780 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.05 nC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934057709115
单位重量 7.500 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.669642 | 2008.93 |
6000 | 0.632461 | 3794.77 |
品牌其他型号
PMGD780SN,115品牌厂家:Nexperia
,所属分类: 射频晶体管
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