PMGD780SN,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMGD780SN,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.78 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 410 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 490 mA
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 23pF @30VVds
额定功率Max 410 mW
下降时间 2.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.41 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-323-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Portable Devices, Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMGD780SN,115引脚图与封装图
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在线购买PMGD780SN,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMGD780SN,115 | NXP 恩智浦 | NXP PMGD780SN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号PMGD780SN,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMGD780SN,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 N-Channel 60V 490mA | 当前型号 | NXP PMGD780SN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
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