制造商型号: | ZXMC3A18DN8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMC3A18DN8TA
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ZXMC3A18DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMC3A18DN8TA 规格参数
属性
参数值
制造商型号
ZXMC3A18DN8TA
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.8A, 4.8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
25mOhm @ 5.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA (Min)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1800pF @ 25V
功率 - 最大值
1.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOP