制造商型号： | IPG20N04S4L07ATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPG20N04S4L07ATMA1
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IPG20N04S4L07ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPG20N04S4L07ATMA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPG20N04S4L07ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET 2N-CH 8TDSON
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.2mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3980pF @ 25V
功率 - 最大值
65W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
IPG20N04S4L07ATMA1 同类别型号
库存： 4850
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 20.1206 | 20.12 |
| 10 | 16.676646 | 166.77 |
| 100 | 13.273426 | 1327.34 |
| 500 | 11.23174 | 5615.87 |
| 1000 | 9.530006 | 9530.01 |
| 2000 | 9.053531 | 18107.06 |
品牌其他型号
IPG20N04S4L07ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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