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INFINEON(英飞凌) BSC0910NDIATMA1

INFINEON(英飞凌) BSC0910NDIATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

BSC0910NDIATMA1

制造商:

INFINEON (英飞凌)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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BSC0910NDIATMA1 中文资料

BSC0910NDIATMA1 规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 40 A

漏源电阻 3.5 mOhms, 900 uOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 6.6 nC, 30.6 nC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2.4 ns, 4.1 ns

正向跨导(Min) 42 S, 85 S

上升时间 3.6 ns, 5.6 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 13 ns, 28 ns

典型接通延迟时间 2.4 ns, 5.6 ns

外形参数

高度 1.27 mm

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSC0910NDI SP000998052

单位重量 101.820 mg

库存: 12677

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥30.901627 总价:¥30.90
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 30.901627 30.90
10 27.787324 277.87
100 22.334876 2233.49
500 18.349774 9174.89
1000 15.204084 15204.08
2000 14.155601 28311.20
品牌其他型号
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