制造商型号: | IRFHM792TRPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IRFHM792TRPBF
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IRFHM792TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFHM792TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 195 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 4.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 5.2 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFHM792TRPBF SP001554848
单位重量 122.136 mg
库存: 4000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.396359 | 17.40 |
200 | 6.739649 | 1347.93 |
500 | 6.494833 | 3247.42 |
1000 | 6.379625 | 6379.63 |
品牌其他型号
IRFHM792TRPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 射频晶体管
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