制造商型号： | DMN63D8LV-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN63D8LV-7
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DMN63D8LV-7 中文资料
数据手册PDF
DMN63D8LV-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 260 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 870 pC
耗散功率 450 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.3 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.362112 | 1.81 |
| 50 | 0.314891 | 15.74 |
| 150 | 0.29128 | 43.69 |
| 500 | 0.273571 | 136.79 |
| 3000 | 0.259404 | 778.21 |
品牌其他型号
DMN63D8LV-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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