制造商型号: | SQJ500AEP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQJ500AEP-T1_GE3
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SQJ500AEP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ500AEP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 7.7 mOhms, 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 38.3 nC, 45 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQJ500AEP-T1_BE3
单位重量 506.600 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 4.676216 | 14028.65 |