制造商型号: | BSG0810NDIATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多BSG0810NDIATMA1价格库存等采购信息! |
INFINEON(英飞凌) BSG0810NDIATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
BSG0810NDIATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSG0810NDIATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 50 A, 50 A
漏源电阻 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 5.6 nC, 16 nC
耗散功率 2.5 W, 6.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.4 ns, 2.4 ns
正向跨导(Min) 47 S, 55 S
上升时间 4 ns, 4.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.3 ns, 8 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns, 5.1 ns
外形参数
高度 1.15 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSG0810NDI SP001241674
单位重量 112.200 mg
BSG0810NDIATMA1 同类别型号
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5000 | 12.399517 | 61997.58 |
品牌其他型号
BSG0810NDIATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 射频晶体管
,可在锐单商城现货采购BSG0810NDIATMA1、查询BSG0810NDIATMA1代理商; BSG0810NDIATMA1价格批发咨询客服;这里拥有
BSG0810NDIATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
BSG0810NDIATMA1替代型号
、
BSG0810NDIATMA1数据手册PDF。