制造商型号： | UF3SC120009K4S |
制造商： | SiC (碳化硅（SiC）功率半导体制造商) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 1200V 9 MOHM SIC STACKED CASCODE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) UF3SC120009K4S
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UF3SC120009K4S 规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 120 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 234 nC
耗散功率 789 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 1134
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 767.829484 | 767.83 |
品牌其他型号
UF3SC120009K4S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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