制造商型号： | UF3C065040T3S |
制造商： | SiC (碳化硅（SiC）功率半导体制造商) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) UF3C065040T3S
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UF3C065040T3S 中文资料
数据手册PDF
UF3C065040T3S 规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 54 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 326 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 166.636964 | 166.64 |
| 10 | 153.109105 | 1531.09 |
| 100 | 129.31077 | 12931.08 |
| 500 | 115.031284 | 57515.64 |
| 1000 | 111.212854 | 111212.85 |
品牌其他型号
UF3C065040T3S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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